参数资料
型号: RFU20TM5S
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 351K
描述: DIODE FAST REC 530V 20A TO220N-3
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 530V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2V @ 20A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 30ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 530V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220NFM
包装: 管件
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RFU20TM5S
 
?Electrical characteristic curves
0.1
1
10
100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1ms
IM=100mA
IF=1A
300us
time
1
10
100
1400
1500
1600
1700
1800
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT : I
F
(A)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE : V
F
(mV)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISRESION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
Tj=25?C
VR=530V
n=20pcs
AVE : 64.0nA
AVE : 1567mV
Tj=25?C
IF=20A
n=20pcs
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0.1
1
10
100
0 500 1000 1500 2000 2500 3000
Tj=125?C
Tj=25?C
Tj=150?C
1
10
100
1000
10000
100000
0 100 200 300 400 500 600
Tj=125?C
Tj=25?C
Tj=150?C
10
15
20
25
30
35
40
AVE : 22.7ns
Tj=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25*IR
n=10pcs
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
f=1MHz
Tj=25?C
350
370
390
410
430
450
AVE : 419pF
Tj=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
100
150
200
250
300
AVE : 231.0A
8.3ms
IFSM
1cyc
10
100
1000
1 10 100
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
10
100
1000
1
10
100
t
IFSM
0
1
2
3
4
5
AVE : 0.9kV
AVE : 2.32kV
C=200pF
R=0?
C=100pF
R=1.5k?
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
?
C/W)
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2011.06 - Rev.A
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