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参数资料
| 型号： | RFUS20TM6S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 344K |
| 描述： | DIODE FAST REC 600V 20A TO220N-3 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.8V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220NFM |
| 包装： | 管件 |
        Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RFUS20TM6S ?Series ?Dimensions(Unit : mm) ?Structure Ultra Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Cathode Common Single type.(TO-220) 2)Ultra High switching speed ?Construction Silicon epitaxial planar ?Absolute maximum ratings(Tc=25?C) Parameter Conditions LimitsSymbol Unit Repetitive peak reverse voltage DutyVRM ≦0.5 V Reverse voltage Direct voltage 600VR V Average rectified forward current Io 60Hz half sin wave, Resistance load, Tc=50?C A Tj °C Tstg °C ?Electrical characteristics(Tj=25?C) Symbol Min. Max. UnitConditions Typ. Forward voltage VF － 2.8 V IR － 10 μA trr － 35 ns Thermal Resistance Rth(j-c) － 1.8 ?C / W 600 A 60Hz half sin wave, Non-repetitive 20 Storage temperature ?55 to ?150 Junction temperature 150 one cycle peak value, Tj=25?C VR=600V IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR Reverse current 0.05 － junction to case Reverse recovery time 23 IF=20A Parameter 2.3 IFSM 100 Forward current surge peak (1) (2) (3) (1) (2) (3) +0.3 -0.1 +0.3 -0.1 +0.2-0.1 +0.1-0.05 +0.4 -0.2 1/3 2011.06 - Rev.A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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