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参数资料
| 型号： | RFX10TF6S |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 327K |
| 描述： | DIODE FAST REC 600V 10A TO220N-2 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.5V @ 10A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 30ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220NFM |
| 包装： | 管件 |
        Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Super Fast Recovery Diode RFX10TF6S ?Series ?Dimensions (Unit : mm) ?Structure Ultra Fast Recovery ?Applications General rectification ?Features 1)Single type.(TO-220) 2)High switching speed 3)Soft Recovery ?Construction Silicon epitaxial planer ?Absolute maximum ratings (Tc=25?C) Symbol UnitConditions Limits VRM V VR V Average rectified forward current Io A60Hz half sin wave, Resistance load, Tc=57?C 10 Tj ?C Tstg ?C ?Electrical characteristics (Tj=25?C) Symbol Unit Forward voltage VF V Reverse current IR ?A Reverse recovery time trr ns Thermal Resistance Rth(j-c) ?C / W Junction temperature Storage temperature ?55 to ?150 600 Repetitive peak reverse voltage Duty ? 0.5 600 Parameter 150 Reverse voltage Direct voltage A one cycle peak value, Tj=25?C Forward current surge peak IFSM 100 60Hz half sin wave, Non-repetitive junction to case --3.5 10 IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR -16 30 VR=600V -0.15 Parameter Max. IF=10A -2 2.5 Conditions Min. Typ. (1) (3) (1) (3) RFX10 TF6S 1.6MAX +0.3-0.1 +0.3-0.1 +0.2-0.1 +0.4 -0.2 +0.1-0.05 1/3 2011.06 - Rev.A |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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