参数资料
型号: RFX10TF6S
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 327K
描述: DIODE FAST REC 600V 10A TO220N-2
特色产品: Fast Recovery Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.5V @ 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 30ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 600V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商设备封装: TO-220NFM
包装: 管件
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RFX10TF6S
 
?Electrical characteristics curves
200
210
220
230
240
250
AVE : 224.6pF
Ta=25?C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
0.1
1
10
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Rth(j-c)
10
100
1000
110100
time
IFSM
0
5
10
15
20
25
30
AVE : 15.8ns
Tj=25?C
IF=0.5A
IR=1A
Irr=0.25×IR
n=10pcs
0
50
100
150
200
AVE : 163.5A
8.3ms
IFSM
1cyc
0.1
1
10
100
0 10002000300040005000
1
10
100
1000
FORWARD VOLTAGE : VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT : I
F
(A)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE : VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE : V
F
(mV)
REVERSE CURRENT : I
R
(nA)
IR
DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS : Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
IFSM
DISRESION MAP
ITS ABILITY OF PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THAERMAL IMPEDANCE : Rth (
?
C/W)
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME : trr(ns)
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
0 100 200 300 400 500 600
Tj=125?C
Tj=25?C
Tj=150?C
Tj=75?C
f=1MHz
Tj=25?C
Tj=25?C
VR=600V
n=20pcs
AVE : 140.3nA
1800
1900
2000
2100
2200
2300
AVE : 1976mV
Tj=25?C
IF=10A
n=20pcs
1
10
100
1000
110100
8.3ms
IFSM
1cyc.
8.3ms
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
0
2
4
6
8
10
C=200pF
R=0?
AVE : 5.80kV
C=100pF
R=1.5k?
AVE : 1.08kV
Tj=125?
Tj=25?
Tj=150?
Tj=75?
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2011.06 - Rev.A
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PDF描述
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参数描述
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RFX1123 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:PAD
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