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参数资料
| 型号： | RHRD660S9A_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 547K |
| 描述： | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 6A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.1V @ 6A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 600V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RHRD660S9A_F085DKR |
?2011
Fairchild Semiconductor Corporation
RHRD660S9A_F085 Rev. C2
Electrical Speci?cations
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNITS
VF
IF
= 6A
-
-
2.1
V
IF
= 6A, T
C
= 150
oC
-
-
1.7
V
IR
VR
= 600V
-
-
100
μA
VR
= 600V, T
C
= 150
oC
-
-
500
μA
trr
IF
= 1A, dI
F/dt = 200A/μs- -
30 ns
IF
= 6A, dI
F/dt = 200A/μs- -
35 ns
ta
IF
= 6A, dI
F/dt = 200A/μs
-
16
-
ns
tb
IF
= 6A, dI
F/dt = 200A/μs
-
8.5
-
ns
QRR
IF
= 6A, dI
F/dt = 200A/μs
-
45
-
nC
CJ
VR
= 10V, I
F
= 0A
-
20
-
pF
RθJC
--3oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forw
ard voltage (pw = 300μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous rev
erse current.
trr
= Rev
erse recovery time (See Figure 9), summation of ta
+ t
b.
ta
= Time to reach peak re
verse current (See Figure 9).
tb
= Time from peak I
RM
to projected zero crossing of I
RM
based on a straight line from peak I
RM
through 25% of I
RM
(See Figure 9).
QRR
= Rev
erse recovery charge.
CJ
= Junction capacitance
.
RθJC
= Ther
mal resistance junction to case.
pw = Pulse width.
D = Duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
1
30
0.5
0 0.5
10
121.5
2.5
3
I
F
, FOR
WARD CURRENT (A)
25oC
175oC
100oC
0.010
600
400
300
200
100
0.1
1
10
1000
100
500
100oC
175oC
25oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
REVERSE CURRENT (
μ
A)
RHRD660S9A_F085
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RHRD660S9A_NL | DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK |
| RHRG30120 | DIODE HYPER 1200V 30A TO247 |
| RHRG3060 | DIODE HYPER 600V 30A TO247 |
| RHRG5060 | DIODE HYPER 600V 50A TO247-2 |
| RHRG75120 | DIODE HYPER 1200V 75A TO247-2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RHRG15100CC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 15A 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RHRG15120 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:15A, 1200V Hyperfast Dual Diode |
| RHRG15120CC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 15A 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| RHRG1540CC | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| RHRG1560 | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:15A, 400V - 600V Hyperfast Dual Diodes |
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