参数资料
型号: RHRD660S9A_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 547K
描述: DIODE HYPERFAST 600V 6A DPAK
标准包装: 1
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.1V @ 6A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 35ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 600V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252-3
包装: 标准包装
其它名称: RHRD660S9A_F085DKR
?2011
Fairchild Semiconductor Corporation
RHRD660S
9A_F085 Rev. C2
FIGURE 3. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORW
ARD CURRENT
FIGURE 4. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORW
ARD CURRENT
FIGURE 5. trr, ta
AND t
b
CURVES vs FORW
ARD CURRENT
FIGURE 6. CURRENT DERATING CURVE
FIGURE 7. JUNCTION CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE
Typical Performance Curves
(Continued)
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0.5
20
30
25
tb
15
ta
10
t, RECO
VER
Y TIMES (ns)
5
1600.5
16
trr
TC
= 25
oC, dIF/dt = 200A/μs
ta
trr
tb
IF, FORWARD CURRENT (A)
50
40
30
20
t, RECO
VER
Y TIMES (ns)
10
TC
= 100
oC, dIF/dt = 200A/μs
tb
ta
trr
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0.5
60
75
45
t, RECO
VER
Y TIMES (ns)
30
15
16140 145
150
TC
= 175
oC, dIF/dt = 200A/μs
5
1
0
155 160
170
175
165
2
3
4
DC
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
SQ.
W
AVE
I
F(AV)
, A
VERA
GE FORWARD CURRENT (A)
6
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
20
10
0
0
40
50
100
150
200
C
J
, JUNCTION CAP
A
CITANCE (pF)
50
30
RHRD660S9A_F085
RHRD660S9A_F085
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PDF描述
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