参数资料
型号: RHRP15120
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 2/6页
文件大小: 1049K
描述: DIODE HYPER 1200V 15A TO-220
产品目录绘图: Power Diode Circuit
标准包装: 400
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 15A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 3.2V @ 15A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 75ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100µA @ 1200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
产品目录页面: 1614 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Speci?cations
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
VF
-
-
3.2
V
-
-
2.6
V
IR
-
-
100
μA
-
-
500
μA
Trr
s--65ns
s--75ns
ta
-
36
-
ns
tb
-
28
-
ns
Qrr
-
150
-
nC
CJ
IF
= 15
A
IF
= 15
A, TC
= 150oC
VR
= 1200
V
VR
= 1200
V, TC
= 150oC
IF
= 1
A, dIF/dt = 100
A/μ
IF
= 15
A, dIF/dt = 100
A/μ
IF
= 15
A, dIF/dt = 100
A/μs
IF
= 15
A, dIF/dt = 100
A/μs
IF
= 15
A, dIF/dt = 100
A/μs
VR
= 10
V, IF
= 0
A
-
55
-
pF
RθJC
-
-
1.5
oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
trr
= Reverse recovery time (See Figure 9), summation of ta
+ tb.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 9).
tb
= Time from peak IRM
to projected zero crossing of IRM
based on a straight line from peak IRM
through 25% of IRM
(See Figure 9).
Qrr
= Reverse recovery charge.
CJ
= Junction capacitance.
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = pulse width.
D = duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
1
100
0.5
0123 54
10
25oC
100oC
175oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.010 400 800 1200200
600 1000
1000
0.1
1
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
100oC
25
oC
175oC
RHRP15120
www.fairchildsemi.com
2
?2001
Fairchild
S
emiconductor Corporation
RHR15120
Rev. C1
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