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参数资料
| 型号： | RHRP30120 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 903K |
| 描述： | DIODE HYPER 1200V 30A TO220AC |
| 标准包装： | 400 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.2V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 85ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Specifications
TC
=25oC, Unless Otherwise Specified
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
VF
-
-
3.2
V
C--2.6V
IR
-
-
250
μA
C- - 1mT
A
trr
A/- - 6μ5ns
s
- - 8A/μ5 ns
s
ta
- 4A/μ8 - ns
s
tb
IF
=
30
A
IF
=30
A,TC
=150
o
VR
=
1200
V
VR
=
1200
V,
C
=150
o
IF
=1
A,
di
F/dt
=
100
IF
=30
100
A,di
F/dt
=
IF
=30
100
A,di
F/dt
=
IF
=30
100
A,di
F/dt
=
- 2A/μ2 - ns
s
RθJC
--1.2oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
Trr
=
Reverse
recovery
time
(See
Figure
6),
summation
of
ta
+tb.
ta
=
Time
to
reach
peak
reverse
current
(See
Figure
6).
tb
=Time
from
peak
IRM
to
projected
zero
crossing
of
IRM
basedonastraightlinefrompeakIRM
through
25%
of
IRM
(See
Figure
6).
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = pulse width.
D = duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
200
100
10
1
0
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
175oC
100oC
25oC
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
3.5 4.0 4.5
500
100
10
1.0
0.1
0.01
0
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
200 400 600 800 1000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1200
0.001
175oC
100oC
25oC
RHRP30120
www.fairchildsemi.com
2
?2001
Fairchild
S
emiconductor Corporation
RHRP30120
Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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