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参数资料
| 型号： | RHRP8120 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 816K |
| 描述： | DIODE HYPER 1200V 8A TO-220AC |
| 标准包装： | 400 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 3.2V @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 70ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1611 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Speci?cations
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
VF
-
-
3.2
V
-
-
2.6
V
IR
-
-
100
μA
-
-
500
μA
trr
s--55ns
s--70ns
ta
-
30
-
ns
tb
-
20
-
ns
Qrr
-
165
-
nC
CJ
IF
= 8
A
IF
= 8
A, TC
= 150oC
VR
= 1200
V
VR
= 1200
V, TC
= 150oC
IF
= 1
A, dIF/dt = 200
A/μ
IF
= 8
A, dIF/dt = 200
A/μ
IF
= 8
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 8
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 8
A, dIF/dt = 200
A/μs
VR
= 10
V, IF
= 0
A
-
25
-
pF
RθJC
--2oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
Trr
= Reverse recovery time (See Figure 9), summation of ta
+ tb.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 9).
tb
= Time from peak IRM
to projected zero crossing of IRM
based on a straight line from peak IRM
through 25% of IRM
(See Figure 9).
Qrr
= Reverse Recovery Charge.
CJ
= Junction Capacitance.
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = Pulse Width.
D = Duty Cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F,
FORWARD CURRENT (A)
1
40
0.5
10
0123 54
25oC
100oC
175oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.001
0
400
800
1200
600
1000
500
0.01
0.1
1
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
200
25
oC
100oC
175oC
100
RHRP8120
www.fairchildsemi.com
2
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RHRP8120 Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RHRP860 | DIODE HYPER 600V 8A TO-220AC |
| RM25HG-24S | DIODE SUPER FAST DISC 1200V 25A |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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