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参数资料
| 型号： | RJN1164 |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Junction FET |
| 中文描述： | N沟道结场效应管 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | RJN1164 |
RJN1164
RFsemi Technologies, Inc.
Rev. 6
Ambient Temperature, Ta - oC
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
D
0
20
40
60
80
100
120
P
D
- Ta
0
40
80
120
160
200
240
0.5
0.7
2
3
5
7
20
30
1
10
THD - V
IN
T
Input Voltage, V
IN
- mV
THD : V
CC
= 4.5V
f = 1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
400
μ
A
300
μ
A
I
DSS
= 100
μ
A
G
VV
- I
DSS
Drain Current, I
DSS
-
μ
A
50
70
200
300
500
700
100
1000
R
G
V
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
G
VV
: V
CC
= 4.5V to 1.5V
V
IN
= 10mV
f=1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
50
70
200
300
500
700
100
1000
0.3
0.5
0.7
2
3
5
1
THD - I
DSS
T
Drain Current, I
DSS
-
μ
A
THD : V
CC
= 4.5V
V
IN
= 30mV
f = 1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
Z
IN
- I
DSS
Drain Current, I
DSS
-
μ
A
50
70
200
300
500
700
100
1000
I
I
36
38
40
42
44
Z
IN
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV
f = 1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
Z
O
- I
DSS
Drain Current, I
DSS
-
μ
A
50
70
300
500
700
100
1000
O
o
200
300
400
500
600
700
Z
O
: V
CC
= 4.5V
V
IN
= 10mV
f = 1kHz
I
DSS
: V
DS
= 5.0V
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