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参数资料
| 型号： | RJP020N06T100 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| 产品目录绘图： | xT100 Series SOT-89 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-243AA |
| 供应商设备封装： | MPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1637 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RJP020N06T100DKR |
RJP020N06
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJP020N06
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
MPT3
Features
1) Low On-resistance.
4.5
1.6
1.5
2) Low voltage drive (2.5V drive).
(1)
(2)
(3)
0.4
0.4
1.5
0.5
1.5
0.4
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Taping
(1)Gate
(2)Dr ain
(3)Source
Inner circuit
3.0
Abbreviated symbol : LS
DRAIN
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
T100
1000
RJP020N06
GATE
? 2
? 1
SOURCE
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
60
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D
Tch
Tstg
± 2.0
± 8.0
2.0
8.0
500
2 ? 2
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
mW
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
250
62.5 ?
Unit
° C/W
° C/W
? When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RL3004-6.56-59-D1 | THERMISTOR NTC 10 OHM @ 25C |
| RL4504-3.28-59-D1 | THERMISTOR NTC 5 OHM @ 25C |
| RMW130N03TB | MOSF N CH 30V 13A PSOP8 |
| RMW150N03TB | MOSF N CH 30V 15A PSOP8 |
| RMW180N03TB | MOSF N CH 30V 18A PSOP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RJP1CS03DWA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:1250V - 30A - IGBT Application: Inverter |
| RJP1CS03DWA-80W0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:1250V - 30A - IGBT Application: Inverter |
| RJP1CS03DWT | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:1250V - 30A - IGBT Application: Inverter |
| RJP1CS03DWT-80X0 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:1250V - 30A - IGBT Application: Inverter |
| RJP1CS04DWA | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:1250V - 50A - IGBT Application: Inverter |
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