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参数资料
| 型号： | RMW180N03TB |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 18A PSOP8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-PSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RMW180N03TBDKR |
Data Sheet
4.5V Drive Nch MOSFET
RMW180N03
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
PSOP8
(8)
(7)
(6)
(5)
? Features
1) High Power package(PSOP8).
0~0.1
2) High-speed switching,Low On-resistance.
1pin mark
(1) (2)
(3)
(4)
3) Low voltage drive(4.5V drive).
1.27
5.0
0.4
0.9
0.22
? Application
Switching
? Packaging specifications
Package
Taping
? Inner circuit
Type
Code
TB
(8)
(7)
(6)
(5)
Basic ordering unit (pieces)
2500
RMW180N03
?
(1)
(2)
(3)
(4)
Source
Source
Source
Gate
? 2
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(5)
(6)
Drain
Drain
? 1
Parameter
Symbol
Limits
Unit
(7)
(8)
Drain
Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
30
? 20
V
V
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Drain current
Source current
Continuous
Pulsed
Continuous
I D
I DP *1
I S
? 18
? 72
2.5
A
A
A
(Body Diode)
Power dissipation
Pulsed
I SP
P D
*1
*2
72
3.0
A
W
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to ? 150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
? Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to Ambient
Rth
(ch-a) *
41.7
? C / W
* MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMW200N03TB | MOSF N CH 30V 20A PSOP8 |
| RMW280N03TB | MOSF N CH 30V 28A PSOP8 |
| RN-134-K | KIT EVAL WIFLY GSX 802.11 RN-134 |
| RN-422M | ADAPTER BLUETOOTH FIREFLY RS422 |
| RN41-I/RM | MODULE BLUETOOTH W/ANT CLASS1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RMW200N03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4.5V Drive Nch MOSFET |
| RMW200N03TB | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RMW-25/8/ADH-0-18IN | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| RMW-25/8-1200/ADH-0 | 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆，导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW MSDS 材料安全数据表:HSTT,HSTTA,HSTTV, HSTTVA Series MSDS 标准包装:1 系列:HSTTV 类型:套管，弹性 收缩比率:2 至 1 长度:1000' (304.8m) 内径 - 提供:0.063"（1.6mm） 内径 - 恢复:0.031"（0.8mm） 已恢复的墙壁厚度:0.017"（0.43mm） 材质:聚烯烃 特点:阻燃 颜色:白 |
| RMW-25/8-1200/U-0 | 功能描述:HEAT SHRINK TUBING RoHS:是 类别:线缆，导线 - 管理 >> 热缩管 系列:RMW MSDS 材料安全数据表:HSTT,HSTTA,HSTTV, HSTTVA Series MSDS 标准包装:1 系列:HSTTV 类型:套管，弹性 收缩比率:2 至 1 长度:1000' (304.8m) 内径 - 提供:0.063"（1.6mm） 内径 - 恢复:0.031"（0.8mm） 已恢复的墙壁厚度:0.017"（0.43mm） 材质:聚烯烃 特点:阻燃 颜色:白 |
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