参数资料
型号: RMW180N03TB
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSF N CH 30V 18A PSOP8
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1250pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-PSOP
包装: 标准包装
其它名称: RMW180N03TBDKR
RMW180N03
Fig.13 Maximum Safe Operating Aera
1000
 
Data Sheet
Fig.14 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
10
Operation in this area is limited by
R DS(ON) (V GS =10V)
100
1
10
1
P W =100u
P W =1ms
0.1
0.1
T a = 25 ° C
Single Pulse
Mounted on a COPPER board
P W = 10ms
DC operation
0.01
T a = 25 ° C
Single Pulse : 1Unit
Rth(ch-a)(t) = r(t) × Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 41.7 ° C/W
<Mounted on a COPPER board>
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
PULSE WIDTH : Pw(s)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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PDF描述
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