型号: | RN1305 |
厂商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
中文描述: | 开关,逆变电路,接口电路及驱动电路应用 |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 251K |
代理商: | RN1305 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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RN1306 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
RN1310 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
RN1311 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
RN1314 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
RN1315 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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RN1305(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 50V 100mA 2.2 / 47 USM Tape & Reel |
RN1305(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
RN1306 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 4.7K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
RN1306(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
RN1307 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |