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参数资料
| 型号： | RN1311 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 东芝npn型晶体管硅外延型（厘进程） |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | RN1311 |
RN1310,RN1311
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1310,RN1311
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2310, RN2311
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characterisstic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
c
100
mA
Collector power dissipation
P
c
100
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
―
V
CB
= 50V, I
E
= 0
―
―
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
= 5V, I
C
= 0
―
―
100
nA
DC current gain
h
FE
―
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
120
―
700
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
―
0.1
0.3
V
Translation frequency
f
T
―
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
―
250
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
―
3
6
pF
RN1310
3.29
4.7
6.11
Input resistor
RN1311
R1
―
―
7
10
13
k
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN1314 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1315 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1317 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1318 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RN1311(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1311,LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 250MHZ (LF) - Tape and Reel |
| RN1312 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| RN1312(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1313 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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