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参数资料
| 型号： | RN1315 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 东芝npn型晶体管硅外延型（厘进程） |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | RN1315 |
RN1314 RN1318
2001-06-07
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
RN1314~1318
I
CBO
V
CB
= 50V, I
E
= 0
―
―
100
nA
Collector cut-off
current
RN1314~1318
I
CEO
―
V
CE
= 50V, I
B
= 0
―
―
500
nA
RN1314
V
EB
= 5V, I
C
= 0
0.35
―
0.65
RN1315
V
EB
= 6V, I
C
= 0
0.37
―
0.71
RN1316
V
EB
= 7V, I
C
= 0
0.36
―
0.68
RN1317
V
EB
= 15V, I
C
= 0
0.78
―
1.46
Emitter cut-off current
RN1318
I
EBO
―
V
EB
= 25V, I
C
= 0
0.33
―
0.63
mA
RN1314~16,18
50
―
―
DC current gain
RN1317
h
FE
―
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
30
―
―
Collector-emitter
saturation voltage
RN1314~1318
V
CE (sat)
―
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
―
0.1
0.3
V
RN1314
0.6
―
2.0
RN1315
0.7
―
2.5
RN1316
0.8
―
2.5
RN1317
1.5
―
3.5
Input voltage (ON)
RN1318
V
I (ON)
―
V
CE
= 0.2V, I
C
= 5mA
2.5
―
10.0
V
RN1314
0.3
―
0.9
RN1315
0.3
―
1.0
RN1316
0.3
―
1.1
RN1317
0.3
―
2.3
Input voltage (OFF)
RN1318
V
I (OFF)
―
V
CE
= 5V, I
C
= 0.1mA
0.5
―
5.7
V
Transition frequency
RN1314~1318
f
T
―
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
―
250
―
MHz
Collector Output
capacitance
RN1314~1318
C
ob
―
V
= 10V, I
E
= 0,
f = 1MHz
―
3.0
6.0
pF
RN1314
0.7
1.0
1.3
RN1315
1.54
2.2
2.86
RN1316
3.29
4.7
6.11
RN1317
7.0
10.0
13.0
Input resistor
RN1318
R
1
―
―
32.9
47.0
61.1
k
RN1314
―
0.1
―
RN1315
―
0.22
―
RN1316
―
0.47
―
RN1317
―
2.13
―
Resistor ratio
RN1318
R
1
/R
2
―
―
―
4.7
―
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN1316 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1317 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1402 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1403 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RN1315(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1316 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1316(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1317 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 10K x 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1317(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
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