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参数资料
| 型号： | RN1317 |
| 厂商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 东芝npn型晶体管硅外延型（厘进程） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | RN1317 |
RN1314 RN1318
2001-06-07
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN1318 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1402 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1403 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1404 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| RN1405 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RN1317(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 10K x 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN1318 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1318(TE85L,F) | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| RN-131C | 制造商:Roving Networks 功能描述:WIFI MODULE |
| RN131C/RM | 功能描述:WiFi/802.11模块 WiFly GSX 802.11b/g Mod Commercial Temp RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 支持协议:802.11 b/g/n 频带: 数据速率:150 Mbps 接口类型:SDIO 传输功率（最大）: 天线连接器类型: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V 传输供电电流: 接收供电电流: 最大工作温度:+ 80 C 尺寸:35 mm x 15 mm x 2.9 mm |
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