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参数资料
| 型号： | RN731VTE-17 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 描述： | DIODE PIN 50V 50MA SOD-323 |
| 产品目录绘图： | Diode SOD-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | PIN - 单 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 50V |
| 电流 - 最大： | 50mA |
| 电容@ Vr, F： | 0.4pF @ 35V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 7 欧姆 @ 10mA，100MHz |
| 功率耗散（最大）： | 100mW |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | UMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RN731VTE-17DKR |
RN731V
Diodes
Rev.C 1/2
UMD2
2.1
0.8MIN.
0.9MIN.
PIN diode
RN731V
』Applications 』Dimensions
(Unit : mm)
』Land size figure
(Unit : mm)
VHF / UHF band variable attenuators and AGC.
』Features
1) Small mold type. (UMD2)
2) Low high-frequency forward resistance / low
capacitance (C
T).
』Construction
』Structure
Silicon epitaxial planar
』Taping dimensions (Unit : mm)
』Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
』Electrical characteristics (Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
--1 VIF=50mA
IR
--0.1μAVR=50V
Ct - - 0.4 pF
VR=35V , f=1MHz
Rf - - 7
Ω
IF=10mA,f=100MHz
Conditions
High frequency resistance
Reverse current
Parameter
Forward voltage
Capacitance between terminal
ROHM : UMD2
JEITA : SC-90/A
JEDEC : S0D-323
dot (year week factory)
0.3±0.05
0.7±0.2
0.1
0.1±0.1
0.05
1.7±0.1
2.5±0.2
1.25±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.40±0.1
4.0±0.1 φ1.05
2.75
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
0.3±0.1
1.0±0.1
2.8±0.1
Symbol
Unit
VR
V
IF
mA
Pd
mW
Tj
℃
Tstg
℃
Limits
50
50
Parameter
Reverse voltage (DC)
Forward current (DC)
Power dissipation
100
Junction temperature
Storage temperature
125
-55 to +125
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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