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参数资料
| 型号： | RN779DT146 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 330K |
| 描述： | DIODE PIN 50V 50MA SMD3 |
| 产品目录绘图： | SMD3 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | PIN - 1 对串联 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 50V |
| 电流 - 最大： | 50mA |
| 电容@ Vr, F： | 0.9pF @ 35V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 7 欧姆 @ 10mA，100MHz |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RN779DT146DKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
PIN diode
RN779D
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Attenuator
?Features
1) Small mold type. (SMD3)
2) High reliability.
?Construction
Silicon diffused junction
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (DC) 50VR
V
Reverse current (DC) 50IF
mA
Junction temperature 150Tj
°C
Tstg
°C
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.0 V
IF=10mA
IR
- - 100 nA
VR=50V
Ct - - 0.9 pF
VR=35V , f=1MHz
Rf - - 7.0
?
IF=10mA, f=100MHz
Storage temperature
?55 to ?150
Capacitance between terminals
High frequency resistance
Parameter
Conditions
Forward voltage
Reverse current
SMD3
1.0MIN.
0.8MIN.
2.4
0.95
1.9
3.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
1.35±0.1
3.2±0.1
φ1.05MIN
3.2±0.1
0.3±0.1
5.5±0.2
0～0.5
0.4＋0.1
Each lead has same dimension －0.05
＋0.1
0.15
－0.06
2.9±0.2
2.8±0.2
1.9±0.2
1.6
＋0.2
－0.1
0.95 0.95
各リードとも
同寸法
0～0.1
1.1±0.21.1?0.2?0.1
0.01
0.8±0.1
(2)
(1)
(3)
0.3～0.6
JEITA : SC-59
ROHM : SMD3
week code
JEDEC :S0T-346
1/2
2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN779FT106 | DIODE PIN HF SW 50V 50MA UMD3 |
| RR274EA-400TR | DIODE RECT DUAL 400V 0.5A SC-74 |
| RSX1001T3 | DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO-220FN |
| RURD620CCS9A_F085 | DIODE UFAST DUAL 6A 200V DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RN779F | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:PIN Diodes for Attenuators |
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