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参数资料
| 型号： | RN779DT146 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 330K |
| 描述： | DIODE PIN 50V 50MA SMD3 |
| 产品目录绘图： | SMD3 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | PIN - 1 对串联 |
| 电压 - 峰值反向(最大)： | 50V |
| 电流 - 最大： | 50mA |
| 电容@ Vr, F： | 0.9pF @ 35V，1MHz |
| 电阻@ Vr, F： | 7 欧姆 @ 10mA，100MHz |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RN779DT146DKR |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RN779D
FORWARD VOLTAGE：VF(mV)
VF-IF CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
REVERSE VOLTAGE：VR(V)
VR-IR CHARACTERISTICS
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
VF DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
REVERSE CURRENT:IR(nA)
IR DISPERSION MAP
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
ELECTROSTATIC
DISCHARGE TEST ESD(KV)
ESD DISPERSION MAP
FORWARD CURRENT:IF(mA)
rf-IF CHARACTERISTICS
FORWARD OPERATING
RESISTANCE:rf(Ω)
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
FREQUENCY(MHz)
Ct-f CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:IF(mA)
rf DISPERSION MAP
FORWARD OPERATING
RESISTANCE:rf(Ω)
0.1
1
10
100
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
Ta=-25℃
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=150℃
0.1
1
10
100
1000
10000
100000
0 1020304050
0 5 10 15 20 25 30 35
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
0.1
1
10
f=1MHz
750
760
770
780
790
800
AVE:782.8mV
Ta=25℃
IF=10mA
n=30pcs
0.3
0.4
0.5
0.6
AVE:0.44pF
Ta=25℃
f=1MHz
VR=35V
n=30pcs
0
1
2
3
4
5
AVE:4.12Ω
Ta=25℃
f=100MHz
IF=10mA
n=30pcs
0
1
2
3
4
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE:1.48kV
AVE:3.44kV
C=150pF
R=330Ω
AVE:2.67kV
1
10
100
1000
10000
0.01 0.1 1 10
100MHz
1MHz
10MHz
0.1
1
10
0.1 1 10
Ta=25℃
VR=0V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
AVE：26.8nA
Ta=25℃
VR=50V
n=30pcs
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2011.03 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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