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参数资料
| 型号： | RP1E050RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E050RPDKR |
RP1E050RP
Data Sheet
200
150
I D = -5.0A
Ta=25°C
Pulsed
1000
100
t d (off)
t f
Ta=25°C
V DD = -15V
V GS = -10V
R G =10 ?
Pulsed
10
8
6
100
50
I D = -2.5A
10
t d (on)
t r
4
2
Ta=25°C
V DD = -15V
I D = -5.0A
R G =10 ?
0
1
0
Pulsed
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
1000
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
1000
100
10
Operation in this area is limited by R DS(on)
(V GS =-10V)
P W =100us
1
P W =1ms
100
Crss
P W = 10ms
Coss
0.1
Ta = 25°C
Single Pulse
MOUNTED ON CERAMIC BOARD
DC operatio n
10
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.14 Maximum Safe Operating Area
Ta = 25°C
Single Pulse : 1Unit
Rth(ch-a)(t) = r(t)×Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 62.5 °C/W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RP1E090RPTR | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
| RP1E100RPTR | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E070XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E070XNTCR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A MPT6 |
| RP1E075RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RP1E075RPTR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6 |
| RP1E090RP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
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