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参数资料
| 型号： | RP1E100RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E100RPDKR |
4V Drive Pch MOSFET
RP1E100RP
? Structure
Silicon P-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
MPT6
(Single)
? Features
(6)
(5)
(4)
1) Low On-resistance.
2) High power package.
(1)
(2)
(3)
3) 4V drive.
? Application
Switching
? Packaging specifications
? Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(6)
(5)
(4)
Basic ordering unit (pieces)
RP1E100RP
1000
?
(1) Source
? 2
(2) Source
? 1
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
Parameter Symbol
Drain-source voltage V DSS
Gate-source voltage
V GSS
Limits
? 30
? 20
Unit
V
V
(3) Gate
(4) Drain
(5) Drain
(6) Drain
(1) (2) (3)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Drain current
Source current
(Body Diode)
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
*1
*1
*2
? 10
? 40
? 1.6
? 40
2.0
A
A
A
A
W
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to +150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 Mounted on a ceramic board.
? Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to Ambient
Rth
(ch-a) *
62.5
? C / W
*Mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.07 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM5340-H14E2A | RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE |
| RPM5540-H12E4A | MOD REMOTE CTRL RX 40.0KHZ TOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E100XNTR | 制造商:Rohm 功能描述:Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin MPT T/R |
| RP1E125XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E125XNTR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6 |
| RP1H | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
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