- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录504 > RP1E100RPTR (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RP1E100RPTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 |
| 产品目录绘图： | MOSFET P-Channel MPT6 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.6 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | MPT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RP1E100RPDKR |
RP1E100RP
Data Sheet
100
Ta=25 ℃
Pulsed
I D = -10.0A
10000
1000
td(off)
tf
Ta=25 ℃
V DD = -15V
V GS = -10V
R G =10 ?
Pulsed
10
8
6
Ta=25 ℃
V DD = -15V
I D = -10A
R G =10 ?
Pulsed
50
I D = -5.0A
100
4
0
10
1
tr
td(on)
2
0
0
5
10
15
0.01
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
GATE-SOURCE VOLTAGE : ?? V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
10000
1000
DRAIN-CURRENT : ? I D [A]
Fig.11 Switching
Characteristics
Operation in this area is limited by
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
1000
100
Ciss
Crss
Coss
100
10
1
R DS (ON)
PW=100 ? s
PW=1ms
PW = 10ms
10
Ta=25 ℃
f=1MHz
V GS =0V
0.1
0.01
Ta = 25 ℃
Single Pulse
Mounted on a CERAMIC board
DC operation
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
10
1
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Ta = 25 ℃
Single Pulse : 1Unit
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS [V]
Fig.14 Maximum Safe Operating Aera
0.01
Rth （ ch-a ）（ t ） = ｒ（ t ） ×Rth （ ch-a ）
Rth （ ch-a ） = 62.5 ℃ /W
<Mounted on a CERAMIC board>
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH : Pw(s)
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
www.rohm.com
?20 10 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/5
2010.07 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPM-012PBT97 | PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW SMD |
| RPM-20PBM | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM-22PB | PHOTOTRANSISTOR 800NM SIDE VIEW |
| RPM5340-H14E2A | RECEIVER REMOTE 40KHZ SMD SIDE |
| RPM5540-H12E4A | MOD REMOTE CTRL RX 40.0KHZ TOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RP1E100XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E100XNTR | 制造商:Rohm 功能描述:Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 6-Pin MPT T/R |
| RP1E125XN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Nch MOSFET |
| RP1E125XNTR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6 |
| RP1H | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。