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参数资料
| 型号： | RRH075P03TB1 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8 |
| 产品目录绘图： | xTB1 Series SOP-8 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RRH075P03TB1DKR |
RRH075P03
l Electrical characteristic curves
Fig.13 Drain CurrentDerating Curve
1.2
1
0.8
Data Sheet
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
100
T a = 25oC
0.6
0.4
0.2
50
I D = - 7.5A
I D = - 4.0A
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
100
Gate - Source Voltage : -V GS [V]
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
30
T a = 25oC
20
10
V GS = - 4.0V
V GS = - 4.5V
V GS = - 10V
10
1
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
V GS = - 10V
I D = - 7.5A
100 125 150
Drain Current : -I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRH100P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 10A SOP8 |
| RRH140P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 14A SOP8 |
| RRL025P03TR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6 |
| RRQ030P03TR | MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6 |
| RRQ045P03TR | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RRH090P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRH090P03TB | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RRH090P03TB1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 9A 8-PIN SOP T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC |
| RRH095-050-145-K5B | 制造商:Richco 功能描述:Ferrite bead core 9.5mm K5B |
| RRH100P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
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