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参数资料
| 型号： | RRQ045P03TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RRQ045P03DKR |
RRQ045P03
Pch -30V -4.5A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
- 30V
35m W
- 4.5A
1.25W
TSMT6
(1)
(2)
(3)
(6)
(5)
(4)
l Features
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
l Inner circuit
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
UB
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
- 30
? 4.5
? 18
? 20
1.25
0.6
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
2013.01 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RRR015P03TL | MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 |
| RRR030P03TL | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RRQUADESATA6GB/SFORMAC | 制造商:Highpoint Technology 功能描述:HIGHPOINT - Bulk |
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| RRR015P03TL | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| RRR030P03 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET |
| RRR030P03TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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