参数资料
型号: RRQ045P03TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
产品目录绘图: TSMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: TSMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RRQ045P03DKR
RRQ045P03
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
Data Sheet
Parameter
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Symbol
C iss
C oss
C rss
t d(on) *5
t r *5
t d(off) *5
t f *5
Conditions
V GS = 0V
V DS = - 10V
f = 1MHz
V DD ? - 15V, V GS = - 10V
I D = - 2.2A
R L = 6.8 W
R G = 10 W
Min.
-
-
-
-
-
-
-
Values
Typ.
1350
180
180
10
35
110
65
Max.
-
-
-
-
-
-
-
Unit
pF
ns
l Gate Charge characteristics (T a = 25°C)
Parameter
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Symbol
Q g *5
Q gs *5
Q gd *5
Conditions
V DD ? - 15V, I D = - 4.5A
V GS = - 5V
V DD ? - 15V, I D = - 4.5A
V GS = - 10V
V DD ? - 15V, I D = - 4.5A
V GS = - 5V
Min.
-
-
-
-
Values
Typ.
14
19
3.5
4.2
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
l Body diode electrical characteristics (Source-Drain)(T a = 25°C)
Parameter
Inverse diode continuous,
forward current
Forward voltage
Symbol
I S *1
V SD *5
Conditions
T a = 25 ? C
V GS = 0V, I s = - 4.5A
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
- 1.0
- 1.2
Unit
A
V
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.01 - Rev.C
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