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参数资料
| 型号： | RSD200N10TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
| 产品目录绘图： | CPT-3, D-PAK Series |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | CPT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSD200N10TLDKR |
4V Drive Nch MOSFET
RSD200N10
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Wide SOA (safe operating area).
4) Gate-source voltage (V GSS ) guaranteed to be ? 20V.
5) Drive circuits can be simple.
6) Parallel use is easy.
? Dimensions (Unit : mm)
CPT3
? Applications
Switching
? Packaging specifications
Package
Code
Taping
TL
(1)Base(Gate)
(2)Collector(Drain)
(3)Emitter(Source)
? Inner circuit
Type
Basic ordering unit (pieces)
2500
? 2
RSD200N10
? 1
? 1 BODY DIODE
? 2 ESD PROTECTION
DIODE
(1)GATE
(2)DRAIN
(3)SOURCE
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
(1)
(2)
(3)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
100
± 20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Avalanche Current
Avalanche Energy
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
I AS
E AS
? 3
? 1
? 1
? 2
? 2
± 20
± 80
20
80
20
85
A
A
A
A
A
mJ
Total power dissipation (Tc=25 ° C)
Channel temperature
Range of storage temperature
P D
Tch
Tstg
20
150
? 55 to + 150
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 L 265 μ H, V DD = 50V, R G = 25 Ω , Starting, Tch = 25 ° C
? 3 Limited only by maximum tempterature allowed
? Thermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
6.25
Unit
° C/W
www.rohm.com
c 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.04 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSE002P03TL | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 |
| RSF014N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 |
| RSH070P05TB1 | MOSFET P-CH 45V 7A SOP8 |
| RSQ015N06TR | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6 |
| RSQ020N03TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSD201N10 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 100V 20A Power MOSFET |
| RSD201N10TL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RSD215 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:RESI ROCKER SW, DP, 15A 120/277V, BR |
| RSD215AL | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:RESI ROCKER SW, DP, 15A 120/277V, AL |
| RSD215BK | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:RESI ROCKER SW, DP, 15A 120/277V, BK |
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