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参数资料
| 型号： | RSE002P03TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 |
| 产品目录绘图： | 3019TL, 2P0xTL Series SOT-416 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSE002P03TLDKR |
RSE002P03
Transistors
4V Drive Pch MOSFET
RSE002P03
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
EMT3
1.6
0.3
0.7
0.55
Features
1) Low On-resistance.
(3)
2) Small package (EMT3).
3) 4V drive.
0.2
(2)
0.5 0.5
(1)
0.2
0.15
1.0
(1)Source
(2)Gate
Applications
Switching
Package specifications
Package
Taping
(3)Drain
Inner circuit
Abbreviated symbol : WP
(3)
Type
RSE002P03
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
3000
(2)
? 1
(1)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
? 2
(1) Source
(2) Gate
(3) Drain
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 30
± 20
Unit
V
V
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 0.2
± 0.4
0.15
150
? 55 to + 150
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
833
Unit
° C/W
? Each terminal mounted on a recommended land
Rev.A
1/4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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