参数资料
型号: RRL025P03TR
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
产品目录绘图: TUMT-6 Package Top
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: TUMT6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RRL025P03DKR
RRL025P03
l Measurement circuits
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.1-2   Switching Waveforms
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Data Sheet
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2013.02 - Rev.B
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PDF描述
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参数描述
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RRL035P03TR 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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