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参数资料
| 型号： | RSB12WTL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER LOW CAP 150MW EMD3 |
| 产品目录绘图： | Diode ESD EMD3 Top Diode ESD EMD3 Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 9V |
| 电压 - 击穿： | 9.6V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装： | EMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2366 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB12WTLDKR |
Data Sheet
Low Capacitance Protection Device
RSB12W
? Applications
? Dimensions (Unit : mm)
? Land size figure (Unit : mm)
ESD Protection
1.6±0.2
0.3±0.1
0.05
0.15±0.05
1.0
0.5 0.5
? Features
1)Ultra small mold type.(EMD3)
2)Low capacitance
(3)
0 ～0.1
0.7
3)Bi direction
0.6
0.6
0.2±0.1
(2)
(1)
-0.05
0.5
0.5
0.55±0.1
EMD3
? Construction
Silicon epitaxial planer
1.0±0.1
0.7±0.1
? Structure
ROHM : EMD3
JEDEC : SOT-416
JEITA : SC-75A
dot(year week factory)
? Taping specifications (Unit : mm)
4.0±0.1
1.8±0.1
2.0±0.05
?
φ1.55±0.1
? 0 0
φ0.5±0.1
0.3±0.1
0.9±0.2
? Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
P
Tj
Tstg
Limits
150
150
? 55 to ? 150
Unit
mW
°C
°C
? Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Symbol
V Z
I R
C t
Min.
9.6
-
-
Typ.
-
-
1
Max.
14.4
0.10
-
Unit
V
μ A
pF
Conditions
I Z =5mA
V R =9V
f=1MHz,V R =0V
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/2
2011.04 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSB16F2T106 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD3 |
| RSB16VATR | DIODE ZENER BIDIR 500MW TUMD2 |
| RSB16VTE-17 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD2 |
| RSB16X3NTR | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSB12Z | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Low Capacitance Protection Device |
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| RSB16F2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Bi-Directional Zener Diodes |
| RSB16F2T106 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DI; BIDIRECTIONAL ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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