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参数资料
| 型号： | RSB16X3NTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD6 |
| 产品目录绘图： | UMD6 |
| 标准包装： | 1 |
| 电极标记： | 3 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1649 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSB16X3NDKR |
Data Sheet
Bi direction ESD Protection Diode
RSB16X3N
l Applications
ESD Protection
l Dimensions (Unit : mm)
2.0±0.2
l Land size figure (Unit : mm)
0.65
0.65
Each lead has same dimensions
0.25± 0.1
0.05
各リードとも
同寸法
0.15±0.05
l Features
(6)
(5)
(4)
1)Small mold type. (UMD6)
2)High reliability.
3)Bi direction.
0 ～0.1
0.35
(1)
(2)
(3)
UMD6
l Construction
Silicon epitaxial planer
0.65 0.65
1.3±0.1
0.7
0.9±0.1
l Structure
ROHM : UMD6
JEDEC : SOT-363
JEITA : SC-88
dot (year week factory)
l Taping dimensions (Unit : mm)
l Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
Parameter
Power dissipation (*)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Pd
Tj
Tstg
Limits
200
150
- 55 to + 150
Unit
ｍＷ
? C
? C
(*) Total three elements
l Electrical characteristics (Ta=25 ? C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Junction capacitance
Symbol
V Z
I R
Ct
Min.
14.4
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
17.6
0.1
30
Unit
V
μA
pF
Conditions
I Z =1mA
V R =12V
V R =0V , f=1MHz
*Zener voltage (Vz) shall be measured at 40ms after loading current. Rating of per diode.
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.11 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSB18F2T106 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD3 |
| RSB18VTE-17 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD2 |
| RSB27F2T106 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD3 |
| RSB27K2TL | DIODE ZENER UMD4 |
| RSB27VTE-17 | DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSB18F2 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Bi-Directional Zener Diodes |
| RSB18F2T106 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DI; BIDIRECTIONAL ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| RSB18V | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Bi-Directional Zener Diodes |
| RSB18VTE-17 | 功能描述:稳压二极管 DI; BIDIRECTIONAL ZENER RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| RSB1A | 制造商:Panduit Corp 功能描述:1 RU RACK STANDOFF BRACKET 1.6 制造商:Panduit Corp 功能描述:1 RU RACK STANDOFF BRACKET 1.6"D FROM RA - Bulk 制造商:Panduit Corp 功能描述:1 RU RACK STANDOFF BRACKET 1.6D FROM RA |
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