参数资料
型号: RSB16X3NTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: DIODE ZENER BIDIR 200MW UMD6
产品目录绘图: UMD6
标准包装: 1
电极标记: 3 通道阵列 - 双向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: UMD6
包装: 标准包装
产品目录页面: 1649 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: RSB16X3NDKR
RSB16X3N
 
Data Sheet
20.0
18.0
16.0
14.0
Ta=25 ° C
I Z =1mA
n=30pcs
140
120
100
Ta=25 ° C
V R =12V
n=30pcs
12.0
AVE:16.17V
AVE:16.97V
80
AVE:113.1pA
10.0
8.0
60
AVE:82.5pA
6.0
apply voltage
apply voltage
40
apply voltage
apply voltage
4.0
2.0
0.0
20
Vz DISPERSION MAP
20
0
100000
I R DISPERSION MAP
18
16
14
Ta=25 ° C
f=1MHz
V R =0V
n=10pcs
10000
apply voltage
12
10
1000
8
AVE : 11.8pF
AVE : 11.5pF
6
4
apply voltage
apply voltage
100
2
0
10
0.1
1
10
1000
Ct DISPERSION MAP
1000
ZENER CURRENT(mA)
Zz-Iz CHARACTERISTICS(1)
100
10
apply voltage
100
10
On glass-epoxy substrate
Rth(j-a)
Rth(j-c)
1
0.1
1
ZENER CURRENT(mA)
Zz-Iz CHARACTERISTICS(2)
10
1
0.001
0.01
0.1 1 10
TIME(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
100
1000
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.11 - Rev.A
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