参数资料
型号: RSR030N06TL
厂商: Rohm Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 380pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: TSMT3
包装: 标准包装
其它名称: RSR030N06TLDKR
RSR030N06
Nch 60V 3A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
60V
85m W
3A
1W
TSMT3
(1)
(2)
(3)
l Features
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
l Inner circuit
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
3) Small Surface Mount Package (TSMT3).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TL
PY
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C)
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
60
? 3
? 12
? 20
1.0
0.54
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
2012.06 - Rev.B
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PDF描述
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