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参数资料
| 型号： | RSR030N06TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RSR030N06TLDKR |
T a =125 ° C
RSR030N06
l Electrical characteristic curves
Fig.15 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current(II)
1000
V GS = 10V
Pulsed
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
100
Data Sheet
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(III)
1000
V GS = 4.5V
Pulsed
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
Fig.17 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(IV)
1000
Drain Current : I D [A]
V GS = 4.0V
Pulsed
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
100
10
0.01
0.1
1
10
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RSU002P03T106 | MOSFET P-CH 30V 250MA SOT-323 |
| RT 2000 | SENSOR CURRENT 2000A MOD |
| RT 500 | SENSOR CURRENT 500A MOD |
| RT1A050ZPTR | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 |
| RTF015N03TL | MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSR-03-B | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
| RSR-03-B-T | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
| RSR-03-K | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
| RSR-03-K-T | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
| RSR-03-R | 制造商:DBLECTRO 制造商全称:DB Lectro Inc 功能描述:SLIDE TYPE DIP SWITCH |
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