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参数资料
| 型号： | RSX101VA-30TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 335K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode TUMD2 |
| 特色产品： | Fast Recovery Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 470mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMD2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1647 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RSX101VA-30DKR |
          Data Sheet www.rohm.com ? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Schottky barrier Diode RSX101VA-30 ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm) General rectification ?Features 1) Small mold type. (TUMD2) 2) Low VF 3) High reliability. ?Construction Silicon epitaxial planar ?Structure ?Taping specifications (Unit : mm) ?Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter LimitsSymbol Unit Reverse voltage (repetitive peak) 30VRM V Reverse voltage (DC) 30VR V Average rectified forward current 1Io A IFSM A Junction temperature 150Tj °C Tstg °C?40 to ?150 ?Electrical characteristics (Ta=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VF - 0.43 0.47 V IF=1A IR1 -1540μAVR=5V IR2 - 40 200 μA VR=30V Parameter Forward voltage Reverse current Storage temperature Forward current surge peak (60Hz?1cyc) 5 TUMD2 1.1 2.0 0.8 0.5 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.55±0.1 0 1.43±0.05 4.0±0.1 φ1.0±0.2 0 2.75 3.5±0.05 1.75±0.1 8.0±0.2 0.25±0.05 0.9±0.08 2.8±0.05 ROHM : TUMD2 0.1 dot (year week factory) + day 1.3±0.05 0.8±0.05 2.5±0.2 1.9±0.1 0.6±0.2 0.17±0.1 0.05 1/3 2011.05 - Rev.B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RSX101VA-30TR(G) | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| RSX1717A | 制造商:Struthers-Dunn 功能描述:RELAY |
| RSX201L-30 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Shottky barrier diode |
| RSX201L-30_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier diode |
| RSX201L-30_11 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Schottky barrier Diode |
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