- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RTR020N05TL (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RTR020N05TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTR020N05TLDKR |
RTR020N05
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTR020N05
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
TSMT3
1.0MAX
2.9
0.4
0.85
0.7
Features
(3)
1) Low On-resistance.
2) Space saving , small surface mount package (TSMT3).
(1)
(2)
0~0.1
3) Low voltage drive (2.5V drive).
(1) Gate
0.95 0.95
1.9
0.16
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications and h FE
(2) Source
(3) Drain
Inner circuit
Abbreviated symbol : QF
Package
Taping
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
3000
RTR020N05
(1)
? 1
? 2
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
45
12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 2.0
± 8
0.8
8
1.0
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
125
Unit
° C/W
? Mounted on a ceramic board
1/2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTR025N03TL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| RTR025N05TL | MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 |
| RTR030N05TL | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| RUE002N02TL | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR020P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -2.0A) |
| RTR020P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR025N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=2.5A,TSMT3 |
| RTR025N03TL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR025N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。