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参数资料
| 型号： | RTR030N05TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 67 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTR030N05TLDKR |
2.5V Drive Nch MOSFET
RTR030N05
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TSMT3
1.0MAX
Features
(3)
2.9
0.4
0.85
0.7
1) Low On-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT3).
(1) (2)
0.95 0.95
1.9
0.16
0~0.1
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : PV
Application
Switching
Packaging specifications
Package
Taping
Inner circuit
(1)
(3)
? 2
Type
Code
TL
? 1
RTR030N05
Basic ordering unit (pieces)
3000
(2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
45
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
? 1
? 1
? 2
± 3
± 12
0.8
12
1.0
A
A
A
A
W
Channel temperature
Range of Storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to + 150
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 When mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a) ?
Limits
125
Unit
° C / W
? When mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| RUE002N02TL | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 |
| RUE003N02TL | MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 |
| RUF015N02TL | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| RUF025N02TL | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR030P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -3.0A) |
| RTR030P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR040N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=4A,TSMT3 |
| RTR040N03_06 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET |
| RTR040N03TL | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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