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参数资料
| 型号： | RTR030N05TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 45V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 67 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RTR030N05TLDKR |
RTR030N05
Electrical characteristics curves
Data Sheet
6
5
V GS = 10V
6
5
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
Ta=25°C
Pulsed
10
V DS = 10V
Pulsed
V GS = 2.5V
1
Ta= 125°C
4
3
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
V GS = 2.5V
4
3
V GS = 2.0V
0.1
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
2
V GS = 2.0V
V GS = 1.8V
2
V GS = 1.8V
0.01
1
Ta=25°C
1
0
Pulsed
0
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1000
Ta= 25°C
Pulsed
V GS = 2.5V
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
1000
V GS = 4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1000
V GS = 4.0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
10
100
10
100
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
1000
V GS = 2.5V
Pulsed
Ta=125°C
10
V DS = 10V
Pulsed
10
V GS =0V
Pulsed
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
1
100
1
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta=-25°C
10
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : I D [A]
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
3/4
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD [V]
Fig.9 Reverse Drain Current
vs. Sourse-Drain Voltage
2009.04 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RTU002P02T106 | MOSFET P-CH 20V 250MA SOT-323 |
| RUE002N02TL | MOSFET N-CH 20V .2A EMT3 |
| RUE003N02TL | MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3 |
| RUF015N02TL | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| RUF025N02TL | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RTR030P02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Switching (-20V, -3.0A) |
| RTR030P02TL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RTR040N03 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch,Vdss=30V,Id=4A,TSMT3 |
| RTR040N03_06 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOS FET |
| RTR040N03TL | 功能描述:MOSFET 2.5V Drive N-Chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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