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参数资料
| 型号： | RUF015N02TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3 |
| 产品目录绘图： | TUMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | TUMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RUF015N02TLDKR |
RUF015N02
Transistors
1.8V Drive Nch MOSFET
RUF015N02
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TUMT3
Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving , small surface mount package (TUMT3).
3) Low voltage drive (1.8V drive).
(1) Gate
Applications
Switching
Packaging specifications
Package
Taping
(2) Source
(3) Drain
Inner circuit
Abbreviated symbol : PS
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
TL
3000
RUF015N02
(1)
? 1
? 2
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
(2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 1.5
± 3.0
0.6
2.4
0.8
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
156
Unit
° C/W
? Mounted on a ceramic board
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUF025N02TL | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 |
| RUL035N02TR | MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 |
| RUM002N02T2L | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 |
| RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT |
| RUQ050N02TR | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUF020N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUF020N02TL | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUF025N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUF025N02TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUF735-02010-A111 | 功能描述:嵌入式箱式电脑 RuffSystem735, 1.6GHz Atom N270, 32GB SSD, 2GB RAM, Ubuntu8.04, 12-25VDC, ETT, RoHS RoHS:否 外观尺寸:MXE-1300 处理器类型:Intel Atom D2550 频率:1.86 GHz 存储容量:2 GB 存储类型:DDR3 接口类型:COM, Ethernet, USB 工作电源电压:9 VDC to 36 VDC 最大工作温度:+ 45 C 尺寸:170 mm x 210 mm x 58 mm 制造商:ADLINK Technology |
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