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参数资料
| 型号： | RUM002N02T2L |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | VMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | RUM002N02T2L-ND RUM002N02T2LTR |
1.2V Drive Nch MOSFET
RUM002N02
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Applications
Switching
Features
Dimensions (Unit : mm)
VMT3
(1)Gate
(2)Souce
1) Fast switching speed.
2) Low voltage drive (1.2V) makes this
device ideal for portable equipment.
3) Drive circuits can be simple.
(3)Drain
Inner circuit
Abbreviated symbol : QR
(3)
Packaging specifications
Package
Taping
Type
Code
T2L
(1)
? 2
Basic ordering unit
(pieces)
RUM002N02
8000
? 1
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(2)
(1) Gate
(2) Source
(3) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 8
Unit
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
± 200
± 400
mA
mA
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
150
150
? 55 to + 150
mW
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
833
Unit
° C / W
? Each terminal mounted on a recommended land
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT |
| RUQ050N02TR | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
| RVIT-15-120I | ROTARY VARIABLE TRANSDUCER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUM002N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch MOSFET |
| RUM002N05T2L | 功能描述:MOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUM003N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02T2L | 功能描述:MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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