- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RUM002N05T2L (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RUM002N05T2L |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | VMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RUM002N05T2LDKR |
1.2V Drive Nch MOSFET
RUM002N05
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
VMT3
? Features
1) High speed switing.
2) Small package(VMT3).
3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).
Abbreviated symbol : RH
? Application
Switching
? Packaging specifications
? Inner circuit
Package
Taping
(3)
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
T2L
8000
RUM002N05
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
?
(1)
? 2
? 1
(2)
Parameter Symbol
Drain-source voltage V DSS
Gate-source voltage V GSS
Continuous I D
Drain current
Pulsed I DP *1
Continuous I S
Source current
Pulsed I SP *1
(Body Diode)
Power dissipation P D *2
Channel temperature
Tch
Range of storage temperature
Tstg
Limits
50
? 8
? 200
? 800
125
800
150
150
? 55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
? C
? C
(1) GATE
(2) SOURCE
(3) DRAIN
? 1 BODY DIODE
? 2 ESD PROTECTION DIODE
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
? Thermal resistance
Parameter
Channel to Ambient
Symbol
Rth (ch-a) *
Limits
833
Unit
? C / W
* Each terminal mounted on a recommended land.
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2010.02 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUQ050N02TR | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
| RVIT-15-120I | ROTARY VARIABLE TRANSDUCER |
| RVQ040N05TR | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUM003N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02T2L | 功能描述:MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUM-050505 | 功能描述:DC/DC转换器 1W DC/DC 1kV UNREG 5Vin 5Vout RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
| RUM-050505/H | 功能描述:DC/DC转换器 1W DC/DC 2kV UNREG 5Vin 5Vout RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。