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参数资料
| 型号： | RUQ050N02TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RUQ050N02DKR |
1.5V Drive Nch MOSFET
RUQ050N02
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Features
1) Low On-resistance.
2) Space saving, small surface mount package (TSMT6).
3) 1.5V drive
? Applications
Switching
? Packaging specifications
? Dimensions (Unit : mm)
TSMT6
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : XG
? Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(6)
(5)
(4)
RUQ050N02
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
? 1
(1) Drain
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
(3) Gate
(4) Source
? Absolute maximum ratings (Ta=25 ? C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 5.0
± 10
1.0
10
A
A
A
A
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
1.25
150
? 55 to + 150
W
°C
°C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
? Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
100
Unit
°C/W
? Mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2010.08 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
| RVIT-15-120I | ROTARY VARIABLE TRANSDUCER |
| RVQ040N05TR | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUR020N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUR020N02TL | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| RUR040N02 | 制造商:VECTRON 制造商全称:Vectron International, Inc 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUR040N023000 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
| RUR040N02TL | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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