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参数资料
| 型号： | RW1A020ZPT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WEMT |
| 供应商设备封装： | 6-WEMT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
1.5V Drive Pch MOSFET
RW1A020ZP
Structure
Dimensions (Unit : mm)
WEMT6
Silicon P-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
(6)
(5)
(4)
2) High power package.
(1)
(2)
(3)
3) Low voltage drive. (1.5V)
Abbreviated symbol : ZE
Applications
Inner circuit
Switching
Packaging specifications
Package
Code
Type
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T2R
8000
(6)
(5)
? 2
? 1
(4)
(1) Drain
RW1A020ZP
(1)
(2)
(3)
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 12
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
Tch
Tstg
? 1
? 1
? 2
± 2
± 6
? 0.5
? 6
0.7
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 When mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
179
Unit
° C / W
? When mounted on a ceramic board.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| RWD-MIFARE | MOD RCVR RFID MIFARE 13.56MHZ |
| RWD-QT | MODULE RCVR RFID QUAD TAG |
| RXD-433-KH2 | RECEIVER/DECODER 433MHZ KH2 SER |
| RXM-418-LC-S | RECEIVER RF 418MHZ SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RW1A025AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A025APT2CR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR |
| RW1A030AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A030APT2CR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RW1C015UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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