| 型号: | RW1C020UNT2R |
| 厂商: | Rohm Semiconductor |
| 文件页数: | 1/12页 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| 标准包装: | 8,000 |
| FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点: | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 2A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 105 毫欧 @ 2A,4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs: | 2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds: | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 700mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | 6-WEMT |
| 供应商设备封装: | 6-WEMT |
| 包装: | 带卷 (TR) |