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参数资料
| 型号： | RW1A020ZPT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WEMT |
| 供应商设备封装： | 6-WEMT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RW1A020ZP
Electrical characteristics curves
Data Sheet
ｗ
4
3.5
-10V
-4.5V
Ta=25°C
Pulsed
4
3.5
-10V
Ta=25°C
Pulsed
10
V DS = -6V
Pulsed
3
3
-1.8V
1
-2.5V
2.5
-1.8V
2.5
-4.5V
-2.5V
2
1.5
1
0.5
0
-1.6V
V GS = -1.5V
2
1.5
1
0.5
0
-1.5V
V GS = -1.2V
0.1
0.01
0.001
Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= - 25°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ )
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ )
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
1000
Ta=25°C
1000
V GS = -4.5V
1000
V GS = -2.5V
Pulsed
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅰ )
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.5 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅱ )
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.6 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅲ )
1000
V GS = -1.8V
1000
V GS = -1.5V
10
V DS = -6V
Pulsed
Pulsed
Pulsed
100
Ta=125°C
100
Ta=125°C
Ta=75°C
1
Ta= -25°C
10
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= -25°C
10
Ta=25°C
Ta= -25°C
0.1
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=125°C
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅳ )
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.8 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current( Ⅴ )
3/4
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.9 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| RWD-MIFARE | MOD RCVR RFID MIFARE 13.56MHZ |
| RWD-QT | MODULE RCVR RFID QUAD TAG |
| RXD-433-KH2 | RECEIVER/DECODER 433MHZ KH2 SER |
| RXM-418-LC-S | RECEIVER RF 418MHZ SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RW1A025AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A025APT2CR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR |
| RW1A030AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A030APT2CR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RW1C015UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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