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参数资料
| 型号： | RW1A020ZPT2R |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WEMT |
| 供应商设备封装： | 6-WEMT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
RW1A020ZP
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 12
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
?
? 0.3
?
?
?
?
2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
75
105
150
200
?
770
75
60
10
17
65
35
? 1
? 1.0
105
145
225
400
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 12V, V GS =0V
V DS = ? 6V, I D = ? 1mA
I D = ? 2A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 1A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 0.4A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 6V, I D = ? 2A
V DS = ? 6V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 6V
I D = ? 1A
V GS = ? 4.5V
R L 6 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g ?
?
6.5
?
nC
V DD
? 6V
R L 3 ?
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs ?
Q gd ?
?
?
1.3
0.8
?
?
nC
nC
I D = ? 2A
V GS = ? 4.5V
R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
? 1.2
V
I S = ? 2A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.05 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| RWD-MIFARE | MOD RCVR RFID MIFARE 13.56MHZ |
| RWD-QT | MODULE RCVR RFID QUAD TAG |
| RXD-433-KH2 | RECEIVER/DECODER 433MHZ KH2 SER |
| RXM-418-LC-S | RECEIVER RF 418MHZ SMT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RW1A025AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A025APT2CR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR |
| RW1A030AP | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET |
| RW1A030APT2CR | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RW1C015UN | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET |
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