- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录505 > RUM002N02T2L (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | RUM002N02T2L |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 150mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | VMT3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | RUM002N02T2L-ND RUM002N02T2LTR |
RUM002N02
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
?
Parameter
Gate-source leakage
Drain-source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Symbol
I GSS
V (BR)DSS
I DSS
V GS(th)
R DS(on)
|Y fs | ?
C iss
C oss
C rss
Min.
?
20
?
0.3
?
?
?
?
200
?
?
?
Typ.
?
?
?
?
0.8
1.0
1.2
1.6
?
25
10
10
Max.
± 10
?
1.0
1.0
1.2
1.4
2.4
4.8
?
?
?
?
Unit
μ A
V
μ A
V
?
?
?
?
mS
pF
pF
pF
Conditions
V GS =± 8V, V DS = 0V
I D = 1mA, V GS = 0V
V DS = 20V, V GS = 0V
V DS = 10V, I D = 1mA
I D = 200mA, V GS = 2.5V
I D = 200mA, V GS = 1.8V
I D = 40mA, V GS = 1.5V
I D = 20mA, V GS = 1.2V
V DS = 10V, I D = 200mA
V DS = 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
Turn-on delay time
t d(on) ?
?
5
?
ns
V DD
10V, I D = 150mA
Rise time
t r ?
?
10
?
ns
V GS = 4.0V
Turn-off delay time
t d(off) ?
?
15
?
ns
R L
67 ?
Fall time
t f ?
?
10
?
ns
R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
1.2
Unit
V
Conditions
I S = 100mA, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/4
2009.07 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT |
| RUQ050N02TR | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6 |
| RUR020N02TL | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 |
| RUR040N02TL | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 |
| RVIT-15-120I | ROTARY VARIABLE TRANSDUCER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RUM002N05 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.2V Drive Nch MOSFET |
| RUM002N05T2L | 功能描述:MOSFET TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| RUM003N02 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch MOSFET |
| RUM003N02T2L | 功能描述:MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。