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参数资料
| 型号： | RZR040P01TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2350pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZR040P01TLDKR |
RZR040P01
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 10V, V DS =0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 12
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS =0V
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
?
? 0.3
?
?
?
?
6.5
?
?
?
?
?
?
?
?
?
22
30
40
55
?
2350
310
280
11
70
380
210
? 1
? 1.0
30
42
60
110
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 12V, V GS =0V
V DS = ? 6V, I D = ? 1mA
I D = ? 4A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 2A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 2A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 0.8A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 6V, I D = ? 4A
V DS = ? 6V
V GS =0V
f=1MHz
V DD ? 6V
I D = ? 2A
V GS = ? 4.5V
R L 3 ?
R G =10 ?
Total gate charge
Q g ?
?
30
?
nC
V DD
? 6V
R L 1.5 ?
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs ?
Q gd ?
?
?
4.0
3.5
?
?
nC
nC
I D = ? 4A
V GS = ? 4.5V
R G =10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Forward voltage
V SD
?
?
?
? 1.2
V
I S = ? 4A, V GS =0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.06 - Rev.A
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参数描述 |
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