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参数资料
| 型号： | RZR040P01TL |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 |
| 产品目录绘图： | RxR0 Series TSMT-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2350pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TSMT3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | RZR040P01TLDKR |
RZR040P01
Data Sheet
200
Ta=25°C
100
V DS = -6V
5
Ta=25°C
150
Pulsed
Pulsed
Ta= -25°C
Ta=25°C
Ta=75°C
V DD = -6V
4 I D = -4.0A
R G =10 ?
Pulsed
3
100
I D = -2.0A
I D = -4.0A
10
Ta=125°C
2
50
1
0
1
0
0
5
10
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS [V]
Fig.10 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Gate Source Voltage
DRAIN CURRENT : -I D [A]
Fig.11 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
10000
Ta=25°C
f=1MHz
V GS =0V
1000
Ciss
100
td(off)
tf
1000
td(on)
Crss
10
100
Coss
1
tr
Ta=25°C V DD = -6V
V GS =-4.5V R G =10 ?
Pulsed
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : -V DS [V]
Fig.13 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
Measurement circuits
DRAIN-CURRENT : -I D [A]
Fig.14 Switching Characteristics
90%
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Pulse Width
10%
50%
50%
D.U.T.
10%
10%
R G
V DD
V DS
t d(on)
90%
tr
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.1-2 Switching Waveforms
I G(Const.)
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V G
V GS
Q g
R G
V DD
Q gs
Q gd
Charge
Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.2-2 Gate Charge Waveform
Notice
This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment.
Please consider to design ESD protection circuit.
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2009.06 - Rev.A
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