ST-L1113

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ST-L1113 技术参数

STL110NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2110pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL110N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:107A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL10N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 STL10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:48W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL10N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL120N4LF6AG STL120N8F7 STL-1-250-3-01 STL-1-250-8-01 STL128D STL128DFP STL128DNFP STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG